LND150N3-G

LND150N3-G Microchip Technology


LND150%20C041114.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 7096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.81 грн
25+ 35 грн
100+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції LND150N3-G за ціною від 29.54 грн до 70.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.2 грн
25+ 37.47 грн
100+ 35.61 грн
1000+ 31.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.07 грн
25+ 37.76 грн
100+ 33.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf MOSFET 500V 1KOhm
на замовлення 10804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.93 грн
25+ 38.41 грн
100+ 29.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
253+47.46 грн
295+ 40.66 грн
331+ 36.22 грн
Мінімальне замовлення: 253
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depleted
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.19 грн
10+ 45.36 грн
22+ 38.89 грн
25+ 37.45 грн
60+ 36.74 грн
100+ 35.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY lnd150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 958 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.03 грн
10+ 56.53 грн
22+ 46.67 грн
25+ 44.94 грн
60+ 44.08 грн
100+ 42.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
170+70.73 грн
176+ 68.32 грн
Мінімальне замовлення: 170
LND150N3-G LND150N3-G
Код товару: 60544
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
LND150N3-G LND150N3-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній