IXA70I1200NA IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1871.98 грн |
2+ | 1643.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA70I1200NA IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 65A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 350W, Technology: XPT™, Features of semiconductor devices: high voltage, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA70I1200NA за ціною від 1758.45 грн до 2540.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXA70I1200NA | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 65A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 350W Technology: XPT™ Features of semiconductor devices: high voltage Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXA70I1200NA | Виробник : IXYS | IGBT Modules XPT Single IGBT |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
IXA70I1200NA | Виробник : IXYS | Description: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IXA70I1200NA | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 350000mW |
товар відсутній |