IXA30PG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 150W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1036.63 грн |
| 2+ | 780.71 грн |
| 3+ | 738.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA30PG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 30A, Case: SMPD-B, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 150W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA30PG1200DHGLB за ціною від 885.95 грн до 1243.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXA30PG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 30A Case: SMPD-B Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 150W Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXA30PG1200DHGLB | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 43A 150mW T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXA30PG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
товар відсутній |