IXA20PG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 23A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 23A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 779.6 грн |
2+ | 618.24 грн |
3+ | 617.52 грн |
4+ | 584.45 грн |
10+ | 573.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA20PG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 23A, Case: SMPD-B, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 130W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA20PG1200DHGLB за ціною від 688.41 грн до 935.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXA20PG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 23A Case: SMPD-B Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 130W Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXA20PG1200DHGLB | Виробник : IXYS | IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||
IXA20PG1200DHGLB | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V 32A 130000mW 9-Pin SMPD-X T/R |
товар відсутній |