IPW65R080CFDFKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 331.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R080CFDFKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW65R080CFDFKSA2 за ціною від 371.71 грн до 734.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R080CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R080CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R080CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW65R080CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPW65R080CFDFKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
товар відсутній |