IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1434.09 грн |
| 30+ | 1145.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW65R018CFD7XKSA1 за ціною від 878.54 грн до 1535.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R018CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R018CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005413353 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IPW65R018CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW65R018CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |