на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 479.07 грн |
| 25+ | 374.6 грн |
| 100+ | 279.5 грн |
| 480+ | 207.73 грн |
| 1200+ | 196 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R099C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW60R099C7XKSA1 за ціною від 349.63 грн до 683.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPW60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPW60R099C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 110W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPW60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPW60R099C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 110W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |