Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R040C7XKSA1
IPW60R040C7XKSA1

IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+805.51 грн
30+ 627.85 грн
120+ 590.92 грн
510+ 502.57 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPW60R040C7XKSA1 за ціною від 601.1 грн до 1454.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R040C7_DS_v02_00_EN-1731996.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+921.09 грн
10+ 799.21 грн
100+ 601.1 грн
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001301350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1159.73 грн
5+ 1098.57 грн
10+ 1036.63 грн
50+ 887.82 грн
100+ 750.52 грн
250+ 666.9 грн
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 181infineon-ipw60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d4c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+1454.44 грн
11+ 1139.14 грн
12+ 1078.12 грн
50+ 919.96 грн
100+ 780.98 грн
200+ 718.36 грн
960+ 674.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 181infineon-ipw60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d4c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 181infineon-ipw60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d4c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 181infineon-ipw60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d4c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R040C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R040C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній