IPT022N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 196.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT022N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPT022N10NF2SATMA1 за ціною від 100.64 грн до 408.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPT022N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT022N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPT022N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|