IPT010N08NM5ATMA1

IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipt010n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 56000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+386.3 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 425A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPT010N08NM5ATMA1 за ціною від 255.42 грн до 719.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+497.94 грн
10+ 411.27 грн
100+ 342.74 грн
500+ 283.8 грн
1000+ 255.42 грн
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT010N08NM5_DataSheet_v02_00_EN-2090407.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+541.06 грн
10+ 457.94 грн
25+ 383.71 грн
100+ 331.95 грн
250+ 329.88 грн
500+ 292.62 грн
1000+ 263.63 грн
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3208415.pdf Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+579.09 грн
5+ 500.12 грн
10+ 421.16 грн
50+ 371.66 грн
100+ 325.16 грн
250+ 318.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt010n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+719.94 грн
20+ 617.24 грн
50+ 547.44 грн
100+ 496.15 грн
200+ 432.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
IPT010N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt010n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf SP005560711
товар відсутній
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt010n08nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
товар відсутній