Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT004N03LATMA1
IPT004N03LATMA1

IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

ipt004n03l_rev1.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+159.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPT004N03LATMA1 за ціною від 166.56 грн до 414.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+167.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+171.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.89 грн
10+ 277.85 грн
25+ 273.93 грн
100+ 234.71 грн
250+ 215.08 грн
500+ 180.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+328.34 грн
40+ 299.22 грн
41+ 295 грн
100+ 252.77 грн
250+ 231.62 грн
500+ 194.12 грн
Мінімальне замовлення: 37
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+362.96 грн
37+ 327.07 грн
50+ 271.22 грн
100+ 260.58 грн
200+ 231.48 грн
500+ 201.71 грн
1000+ 198.29 грн
Мінімальне замовлення: 33
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT004N03L_DS_v02_00_EN-1227267.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+383.25 грн
10+ 328.57 грн
25+ 275.36 грн
100+ 238.79 грн
250+ 236.71 грн
500+ 209.8 грн
1000+ 193.24 грн
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+387.09 грн
10+ 289.55 грн
100+ 245.42 грн
500+ 198.41 грн
1000+ 166.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+414.33 грн
10+ 334.86 грн
100+ 270.9 грн
500+ 225.98 грн
1000+ 193.5 грн
IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359 		IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Case: PG-HSOF-8
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2kA
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4mΩ
Drain current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Case: PG-HSOF-8
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2kA
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4mΩ
Drain current: 300A
товар відсутній