IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD082N10N3GATMA1 за ціною від 58.39 грн до 194.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 125 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V |
на замовлення 28631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPD082N10N3GATMA1 Код товару: 143398 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3 Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3 Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |