Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD053N06NATMA1
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

ipd053n06n_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD053N06NATMA1 за ціною від 34.15 грн до 106.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+66.1 грн
10+ 64.14 грн
25+ 63.68 грн
100+ 51.84 грн
250+ 46.71 грн
500+ 40.03 грн
1000+ 36.29 грн
3000+ 35.46 грн
6000+ 34.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.12 грн
14+ 56.59 грн
100+ 41.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
174+69.07 грн
175+ 68.58 грн
207+ 57.89 грн
250+ 54.32 грн
500+ 44.9 грн
1000+ 39.08 грн
3000+ 38.19 грн
6000+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 174
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD053N06N_DS_v02_02_en-1226926.pdf MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2
на замовлення 17943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.86 грн
10+ 66.27 грн
100+ 47.62 грн
500+ 42.3 грн
1000+ 38.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
118+101.71 грн
129+ 92.76 грн
159+ 75.46 грн
200+ 68.07 грн
500+ 62.84 грн
1000+ 53.61 грн
2000+ 50.04 грн
2500+ 49.87 грн
Мінімальне замовлення: 118
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 6835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.75 грн
10+ 84.04 грн
100+ 65.35 грн
500+ 51.98 грн
1000+ 42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD053N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD053N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній