Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB048N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies

1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPB048N15N5ATMA1 за ціною від 294.69 грн до 615.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+538.25 грн
10+ 443.98 грн
100+ 369.97 грн
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+572.48 грн
10+ 487.94 грн
25+ 465.24 грн
100+ 385.79 грн
250+ 348.56 грн
500+ 296.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB048N15N5_DS_v02_01_EN-3362443.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+576.49 грн
10+ 487.3 грн
25+ 408.56 грн
100+ 353.35 грн
250+ 349.21 грн
500+ 311.25 грн
1000+ 294.69 грн
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+615.14 грн
23+ 524.29 грн
25+ 499.9 грн
100+ 414.53 грн
250+ 374.52 грн
500+ 319.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPB048N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
товар відсутній
IPB048N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній