Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB017N08N5ATMA1
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+242.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPB017N08N5ATMA1 за ціною від 218.08 грн до 460.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.02 грн
10+ 352.76 грн
100+ 293.97 грн
500+ 243.43 грн
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB017N08N5_DS_v02_02_EN-1731619.pdf MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.55 грн
10+ 386.51 грн
25+ 326.43 грн
100+ 245 грн
250+ 244.31 грн
500+ 230.5 грн
1000+ 218.08 грн
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній