IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 64.88 грн |
| 6000+ | 60.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: 31W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 9A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IKD06N65ET6ARMA1 за ціною від 53.55 грн до 144.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD06N65ET6ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 31W euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 9A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 5609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off) Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 13.7 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 31 W |
на замовлення 7758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N65ET6ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKD06N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IKD06N65ET6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IKD06N65ET6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
товар відсутній |