GS66516T-MR GaN Systems
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3024.96 грн |
| 10+ | 2657.14 грн |
| 25+ | 2189.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66516T-MR GaN Systems
Description: GS66516T-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66516T-MR за ціною від 3067.23 грн до 3067.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GS66516T-MR | Виробник : GaN Systems Inc |
 Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| GS66516T-MR | Виробник : GaN Systems |
Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor |
товар відсутній |
||||||
 |
GS66516T-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS66516T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
GS66516T-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS66516T-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V |
товар відсутній |