GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5500+ | 10.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GP10J-E3/54 за ціною від 7.62 грн до 37.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GP10J-E3/54 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 50uA Case: DO41 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Features of semiconductor devices: glass passivated Reverse recovery time: 3µs Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Capacitance: 8pF Type of diode: rectifying Leakage current: 50µA Max. forward impulse current: 30A |
на замовлення 10974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GP10J-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 12164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GP10J-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM |
на замовлення 8099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GP10J-E3/54 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 50uA Case: DO41 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Features of semiconductor devices: glass passivated Reverse recovery time: 3µs Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Capacitance: 8pF Type of diode: rectifying Leakage current: 50µA Max. forward impulse current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10974 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GP10J-E3/54 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 3000ns 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| GP10J-E3/54 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 3000ns 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |