Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR > GF1KHE3_A/H
GF1KHE3_A/H

GF1KHE3_A/H Vishay General Semiconductor

gf1x.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 800V 30Amp AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.67 грн
10+ 46.51 грн
100+ 28.02 грн
500+ 23.4 грн
1000+ 20.57 грн
9000+ 18.29 грн
24000+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GF1KHE3_A/H Vishay General Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.

Інші пропозиції GF1KHE3_A/H за ціною від 19.08 грн до 55.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay gf1x.pdf Diode Switching 800V 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay gf1x.pdf Diode Switching 800V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+30.35 грн
3000+ 27.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay gf1x.pdf Diode Switching 800V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+55.88 грн
6000+ 24.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay gf1x.pdf Diode Switching 800V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R
товар відсутній
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній