FDP20N50F

FDP20N50F onsemi


ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.04 грн
50+ 157.48 грн
100+ 134.98 грн
500+ 112.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP20N50F onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP20N50F за ціною від 102.83 грн до 242.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : onsemi / Fairchild FDPF20N50FT_D-2312661.pdf MOSFET 500V N-Channel
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.83 грн
10+ 210.32 грн
50+ 151.83 грн
100+ 130.43 грн
250+ 129.05 грн
500+ 115.94 грн
1000+ 102.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ONSEMI 2304618.pdf Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+242.32 грн
10+ 170.32 грн
100+ 138.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP20N50F
Код товару: 190678
ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ON Semiconductor fdpf20n50ft-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ON Semiconductor fdpf20n50ft-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ON Semiconductor 3674707761302598fdpf20n50ft.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній