FDP150N10A-F102 onsemi / Fairchild
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 189.21 грн |
| 10+ | 154.76 грн |
| 100+ | 106.97 грн |
| 250+ | 98.69 грн |
| 500+ | 89.72 грн |
| 800+ | 77.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP150N10A-F102 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDP150N10A-F102 за ціною від 110.71 грн до 205.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP150N10A-F102 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FDP150N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
FDP150N10A-F102 Код товару: 150159 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||
 |
FDP150N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FDP150N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FDP150N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FDP150N10A-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V |
товар відсутній |