FDP060AN08A0 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.09 грн |
3+ | 162.47 грн |
7+ | 124.37 грн |
19+ | 117.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP060AN08A0 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP060AN08A0 за ціною від 81.2 грн до 234.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDP060AN08A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V |
на замовлення 5082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP060AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP060AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP060AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDP060AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |