на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 13.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC5614P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 12.08 грн до 53.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 38709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 4158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4158 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
на замовлення 14943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-6 P-CH |
на замовлення 166463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 38473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |