на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC3512 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDC3512 за ціною від 19.54 грн до 78.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC3512 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3512 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3512 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3512 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3512 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.056 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3512 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V |
на замовлення 73590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3512 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N-Ch PowerTrench |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3512 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.056 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3512 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC3512 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC3512 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDC3512 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 141mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDC3512 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 141mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |