FCH47N60-F133 ON Semiconductor
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 673.98 грн |
| 10+ | 600.56 грн |
| 30+ | 577.74 грн |
| 60+ | 527.07 грн |
| 120+ | 460.48 грн |
| 270+ | 378.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH47N60-F133 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCH47N60-F133 за ціною від 414.74 грн до 837.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH47N60-F133 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH47N60-F133 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-Channel MOSFET |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH47N60-F133 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH47N60-F133 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FCH47N60-F133 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FCH47N60-F133 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FCH47N60-F133 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FCH47N60-F133 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FCH47N60-F133 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |