Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F411MR12W2M1HB70BPSA1
F411MR12W2M1HB70BPSA1

F411MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-F4-11MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c57f67e9e04d3 Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+16867.97 грн
15+ 15213.45 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F411MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F411MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції F411MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 14038.63 грн до 18534.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
F411MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-f4-11mr12w2m1h_b70-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+17210.35 грн
10+ 16729.61 грн
F411MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : INFINEON 4130646.pdf Description: INFINEON - F411MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+17251.16 грн
5+ 15550.28 грн
F411MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-f4-11mr12w2m1h_b70-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+18534.23 грн
10+ 18016.51 грн
F411MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F4-11MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c57f67e9e04d3 Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+18068.42 грн
10+ 16680.94 грн
30+ 14038.63 грн
F411MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-f4-11mr12w2m1h_b70-datasheet-v00_20-en.pdf LOW POWER EASY
товар відсутній
F411MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-f4-11mr12w2m1h_b70-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
товар відсутній