ESH2DFSH TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960
Sperrverzögerungszeit: 25
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 28.03 грн |
| 29+ | 27.1 грн |
| 100+ | 18.19 грн |
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Технічний опис ESH2DFSH TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 80, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 960, Sperrverzögerungszeit: 25, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ESH2DFSH за ціною від 8.08 грн до 28.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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ESH2DFSH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 25NS, 2A, 200V, ULTRA FAST RECOV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 13780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| ESH2DFSH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 80 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 960 Sperrverzögerungszeit: 25 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESH2DFSH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 25NS, 2A, 200V, ULTRA FAST RECOV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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