Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMH9T2R
EMH9T2R

EMH9T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMH9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMH9T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMH9T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції EMH9T2R за ціною від 7.03 грн до 31.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EMH9T2R EMH9T2R Виробник : ROHM emh9t2r-e.pdf Description: ROHM - EMH9T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.17 грн
500+ 10.42 грн
1000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
EMH9T2R EMH9T2R Виробник : ROHM emh9t2r-e.pdf Description: ROHM - EMH9T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+27.72 грн
36+ 21.6 грн
100+ 14.17 грн
500+ 10.42 грн
1000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 28
EMH9T2R EMH9T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMH9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 11410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.37 грн
13+ 23.58 грн
100+ 16.4 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 9.77 грн
2000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMH9T2R EMH9T2R Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMH9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 70MA
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.48 грн
14+ 23.73 грн
100+ 15.53 грн
500+ 12.49 грн
1000+ 9.11 грн
8000+ 7.94 грн
24000+ 7.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMH9T2R Виробник : ROHM datasheet?p=EMH9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMH9T2R Виробник : ROHM datasheet?p=EMH9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 09+
на замовлення 63599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMH9T2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMH9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMH9T2R NPN SMD transistors
товар відсутній