EMD22T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1226+ | 9.76 грн |
| 1267+ | 9.45 грн |
| 2500+ | 9.17 грн |
| 5000+ | 8.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD22T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD22T2R за ціною від 6.21 грн до 32.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMD22T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 3649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMD22T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMD22T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA |
на замовлення 7318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMD22 T2R | Виробник : ROHM | SOT23-6 |
на замовлення 5090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMD22T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
EMD22T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| EMD22T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz |
товар відсутній |