DMP2035UVTQ-13

DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated


DMP2035UVTQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+8.03 грн
30000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP2035UVTQ-13 за ціною від 7.32 грн до 37.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2035UVTQ-13 DMP2035UVTQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2035UVTQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.34 грн
12+ 25.74 грн
100+ 15.46 грн
500+ 13.43 грн
1000+ 9.13 грн
2000+ 8.41 грн
5000+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVTQ-13 DMP2035UVTQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2035UVTQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.44 грн
12+ 28.65 грн
100+ 13.87 грн
1000+ 8.7 грн
2500+ 8.35 грн
10000+ 7.45 грн
20000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVTQ-13 DMP2035UVTQ-13 Виробник : Diodes Zetex 114dmp2035uvtq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13 DMP2035UVTQ-13 Виробник : Diodes Inc 114dmp2035uvtq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13 DMP2035UVTQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2035UVTQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13 DMP2035UVTQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2035UVTQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній