на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.46 грн |
| 10+ | 39.05 грн |
| 100+ | 25.33 грн |
| 500+ | 19.94 грн |
| 1000+ | 15.39 грн |
| 2000+ | 12.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2010UFV-7 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -40A, Pulsed drain current: -80A, Power dissipation: 2W, Case: PowerDI3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 12.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 103nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMP2010UFV-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2010UFV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -40A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DMP2010UFV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -40A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |