DMN2004WK-7

DMN2004WK-7 Diodes Incorporated


ds30934.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6357000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.66 грн
6000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2004WK-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2004WK-7 за ціною від 4.71 грн до 31.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 Виробник : Diodes Inc 2411ds30934.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30934.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6360149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.9 грн
20+ 14.38 грн
100+ 7.28 грн
500+ 6.05 грн
1000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30934.pdf MOSFET N-Channel
на замовлення 38102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.48 грн
15+ 21.9 грн
100+ 8.63 грн
1000+ 6.35 грн
3000+ 5.8 грн
9000+ 5.24 грн
24000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7
Код товару: 183759
ds30934-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,54 A
Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD
товар відсутній
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds30934.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds30934.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній