Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI020N06D1
DI020N06D1

DI020N06D1 Diotec Semiconductor

di020n06d1.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI020N06D1 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DI020N06D1 за ціною від 10.35 грн до 47.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DI020N06D1 DI020N06D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di020n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+18.35 грн
25+ 14.38 грн
77+ 11 грн
212+ 10.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
DI020N06D1 DI020N06D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di020n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.02 грн
25+ 17.92 грн
77+ 13.2 грн
212+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
DI020N06D1 DI020N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.58 грн
10+ 29.76 грн
100+ 20.66 грн
500+ 15.14 грн
1000+ 12.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
DI020N06D1 DI020N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf MOSFET MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.91 грн
10+ 36.98 грн
100+ 19.25 грн
500+ 19.05 грн
1000+ 18.5 грн
2500+ 12.08 грн
5000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
DI020N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf DI020N06D1
товар відсутній
DI020N06D1 DI020N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DI020N06D1 DI020N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DI020N06D1 DI020N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
товар відсутній