DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 264 грн |
3+ | 220.7 грн |
5+ | 172.53 грн |
14+ | 163.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції DG50X07T2 за ціною від 195.82 грн до 348.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DG50X07T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 714W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.35µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 200ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
DG50X07T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|