BSP250,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 14.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP250,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP250,115 за ціною від 13.98 грн до 62.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 94000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 94000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 94000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 23111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET BSP250/SOT223/SC-73 |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Type of transistor: P-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.65W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Type of transistor: P-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.65W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : NXP |
P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 985 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BSP250,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |