Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC034N06NSATMA1
BSC034N06NSATMA1

BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC034N06NSATMA1 за ціною від 43.43 грн до 126.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.73 грн
500+ 54.56 грн
1000+ 44.46 грн
5000+ 43.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+67.19 грн
10+ 63.5 грн
25+ 62.86 грн
100+ 56.72 грн
250+ 51.87 грн
500+ 47.77 грн
1000+ 43.86 грн
3000+ 43.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+72.36 грн
175+ 68.38 грн
177+ 67.69 грн
189+ 61.08 грн
250+ 55.86 грн
500+ 51.45 грн
1000+ 47.23 грн
3000+ 46.77 грн
Мінімальне замовлення: 166
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 23703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+75.69 грн
164+ 73.19 грн
178+ 67.51 грн
Мінімальне замовлення: 159
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC034N06NS_DataSheet_v02_03_EN-3360884.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 17485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.45 грн
10+ 87.3 грн
100+ 64.11 грн
250+ 63.42 грн
500+ 56.73 грн
1000+ 51.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+108.39 грн
10+ 85.16 грн
100+ 66.73 грн
500+ 54.56 грн
1000+ 44.46 грн
5000+ 43.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 11586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.16 грн
10+ 100.93 грн
100+ 80.36 грн
500+ 63.81 грн
1000+ 54.15 грн
2000+ 51.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній