BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 49.92 грн до 219.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 17661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 31345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
на замовлення 5402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 6655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
товар відсутній |