BSC028N06LS3 G Infineon Technologies
на замовлення 50325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 218.2 грн |
| 10+ | 180.16 грн |
| 25+ | 148.38 грн |
| 100+ | 126.98 грн |
| 250+ | 120.08 грн |
| 500+ | 113.18 грн |
| 1000+ | 96.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC028N06LS3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 139W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції BSC028N06LS3 G за ціною від 155.07 грн до 220.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC028N06LS3 G | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3 G | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BSC028N06LS3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |