Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC022N04LSATMA1
BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC022N04LSATMA1 за ціною від 35.87 грн до 112.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+41.19 грн
10000+ 37.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+63.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.44 грн
250+ 58.06 грн
1000+ 41.34 грн
3000+ 36.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+79.97 грн
162+ 74.29 грн
192+ 62.62 грн
203+ 57.02 грн
500+ 52.71 грн
1000+ 45.73 грн
2000+ 43.08 грн
Мінімальне замовлення: 150
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+88.36 грн
137+ 87.59 грн
173+ 69.28 грн
250+ 66.19 грн
500+ 52.3 грн
1000+ 38.63 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.13 грн
50+ 68.44 грн
250+ 58.06 грн
1000+ 41.34 грн
3000+ 36.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+97.99 грн
10+ 82.05 грн
25+ 81.33 грн
100+ 62.04 грн
250+ 56.91 грн
500+ 46.62 грн
1000+ 35.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 17130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.51 грн
10+ 82.38 грн
100+ 64.07 грн
500+ 50.97 грн
1000+ 41.52 грн
2000+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC022N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360624.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.72 грн
10+ 90.48 грн
100+ 61.08 грн
500+ 51.83 грн
1000+ 39.75 грн
2500+ 39.68 грн
5000+ 37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1
Код товару: 131683 		BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній