Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC020N03MSGATMA1
BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC020N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4cd99d033e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.62 грн
10000+ 40.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC020N03MSGATMA1 за ціною від 40.17 грн до 111.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC020N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360551.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.66 грн
10+ 66.98 грн
100+ 48.59 грн
500+ 43.48 грн
1000+ 40.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC020N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4cd99d033e Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 32253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.23 грн
10+ 87.2 грн
100+ 67.85 грн
500+ 53.97 грн
1000+ 43.97 грн
2000+ 41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc020n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній