Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC019N04LSTATMA1
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201698038e9d0330c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V.

Інші пропозиції BSC019N04LSTATMA1 за ціною від 61.56 грн до 151.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201698038e9d0330c Description: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.55 грн
10+ 130.91 грн
25+ 123.5 грн
100+ 98.75 грн
250+ 92.72 грн
500+ 81.13 грн
1000+ 66.12 грн
2500+ 61.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC019N04LST_DataSheet_v02_03_EN-3360691.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній