BSC016N06NSSCATMA1

BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+85.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R.

Інші пропозиції BSC016N06NSSCATMA1 за ціною від 90.25 грн до 205.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+92.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NSSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174c1fd04fb336c Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NSSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174c1fd04fb336c Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.3 грн
10+ 165.85 грн
100+ 134.19 грн
500+ 111.94 грн
1000+ 95.85 грн
2000+ 90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf SP005346690
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC016N06NSSC_DataSheet_v02_00_EN-3360647.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній