BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 76.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC016N06NSATMA1 за ціною від 68.92 грн до 197.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V |
на замовлення 31813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |