BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC014N06NSATMA1 за ціною від 89.08 грн до 244.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+114.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+114.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 3770723.pdf Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+141.62 грн
500+ 120.77 грн
1000+ 112.81 грн
5000+ 106.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 3770723.pdf Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+195.09 грн
50+ 167.22 грн
250+ 148.64 грн
1000+ 128.68 грн
3000+ 110.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.06 грн
10+ 163.69 грн
100+ 132.45 грн
500+ 110.49 грн
1000+ 94.61 грн
2000+ 89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC014N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360548.pdf MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.39 грн
10+ 180.16 грн
25+ 151.14 грн
100+ 126.29 грн
250+ 124.91 грн
500+ 112.49 грн
1000+ 91.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+244.1 грн
61+ 197.32 грн
100+ 185.11 грн
500+ 157.91 грн
1000+ 136.22 грн
2000+ 127.28 грн
5000+ 122.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30; Qg, нКл = 89 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 156; PG-TDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+130.54 грн
10+ 121.84 грн
100+ 113.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній