Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC012N06NSATMA1
BSC012N06NSATMA1

BSC012N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc012n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC012N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSC012N06NSATMA1 за ціною від 99.8 грн до 243.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC012N06NS_Rev2.1_2018-12-11.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.95 грн
10+ 183.39 грн
100+ 148.39 грн
500+ 123.78 грн
1000+ 105.99 грн
2000+ 99.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC012N06NS_DataSheet_v02_03_EN-3360735.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.16 грн
10+ 201.59 грн
25+ 168.39 грн
100+ 142.17 грн
250+ 140.79 грн
500+ 125.6 грн
1000+ 101.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC012N06NS_Rev2.1_2018-12-11.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товар відсутній