BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 52.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC010NE2LSIATMA1 за ціною від 56.73 грн до 161.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 96W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 31004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 6488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V |
на замовлення 18417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 38A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.05mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC010NE2LSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 38A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.05mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |