Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC010N04LSIATMA1
BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 125
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC010N04LSIATMA1 за ціною від 85.59 грн до 247.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc Description: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+156.3 грн
10+ 144.74 грн
25+ 140.96 грн
100+ 124.07 грн
250+ 113.95 грн
500+ 101.9 грн
1000+ 86.6 грн
3000+ 86.1 грн
6000+ 85.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+168.32 грн
77+ 155.87 грн
79+ 151.81 грн
100+ 133.62 грн
250+ 122.72 грн
500+ 109.74 грн
1000+ 93.26 грн
3000+ 92.72 грн
6000+ 92.17 грн
Мінімальне замовлення: 72
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+168.52 грн
80+ 150.57 грн
100+ 144.59 грн
200+ 138.46 грн
500+ 120.19 грн
1000+ 110.26 грн
2000+ 108.55 грн
5000+ 107.69 грн
Мінімальне замовлення: 72
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002262994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+172.64 грн
250+ 153.29 грн
1000+ 113.58 грн
3000+ 102.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002262994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+200.51 грн
50+ 172.64 грн
250+ 153.29 грн
1000+ 113.58 грн
3000+ 102.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc Description: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 9058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.91 грн
10+ 190.79 грн
100+ 154.37 грн
500+ 128.77 грн
1000+ 110.26 грн
2000+ 103.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC010N04LSI_DataSheet_v02_05_EN-3360612.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.18 грн
10+ 208.73 грн
25+ 173.91 грн
100+ 147.69 грн
250+ 147 грн
500+ 131.12 грн
1000+ 104.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc010n04lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній