Продукція > INFINEON > BSC005N03LS5ATMA1
BSC005N03LS5ATMA1

BSC005N03LS5ATMA1 INFINEON


3189132.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+117.68 грн
500+ 94.89 грн
1000+ 71 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC005N03LS5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 433A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC005N03LS5ATMA1 за ціною від 71 грн до 177.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC005N03LS5ATMA1 BSC005N03LS5ATMA1 Виробник : INFINEON 3189132.pdf Description: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+169.55 грн
10+ 133.93 грн
100+ 117.68 грн
500+ 94.89 грн
1000+ 71 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC005N03LS5ATMA1 BSC005N03LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC005N03LS5_DataSheet_v02_02_EN-3360952.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 13133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.5 грн
10+ 150 грн
100+ 106.28 грн
500+ 91.1 грн
1000+ 73.84 грн
5000+ 71.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5ATMA1 BSC005N03LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC005N03LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72c00d54a41 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
на замовлення 5862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.68 грн
10+ 142.12 грн
100+ 113.11 грн
500+ 89.81 грн
1000+ 76.21 грн
2000+ 72.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc005n03ls5.pdf SP004819078
товар відсутній
BSC005N03LS5ATMA1 BSC005N03LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC005N03LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72c00d54a41 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
товар відсутній