на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.4 грн |
| 10+ | 36.9 грн |
| 100+ | 27.33 грн |
| 500+ | 24.84 грн |
| 1000+ | 22.5 грн |
| 1950+ | 21.53 грн |
| 5850+ | 21.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD241CG onsemi
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BD241CG за ціною від 21.23 грн до 58.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD241CG | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD241CG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD241CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BD241CG | Виробник : ON |
05+06+ |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
BD241CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BD241CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BD241CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |