BD135G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53 грн |
10+ | 44 грн |
100+ | 30.48 грн |
500+ | 23.9 грн |
1000+ | 20.34 грн |
2000+ | 18.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD135G onsemi
Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD135G за ціною від 18.56 грн до 57.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD135G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 45V 12.5W NPN |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BD135G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BD135G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
BD135G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 6081 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BD135G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BD135G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BD135G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BD135G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |